三星陶瓷电容的绝缘电阻与时间、温度的关系可归纳如下：

一、绝缘电阻与时间的关系

充电过程与漏电流衰减

当电容器接入直流电源时，初始充电电流较大，随后逐渐衰减至稳态漏电流。绝缘电阻的测量需等待足够时间(通常为60秒或120秒)，以确保吸收电流(由介质极化引起)充分衰减，从而获得准确的稳态绝缘电阻值。

短期变化：在充电初期，绝缘电阻可能因吸收电流的存在而显得较低，随后随时间推移逐渐上升并趋于稳定。

长期稳定性：对于高质量陶瓷电容(如C0G/NP0型)，绝缘电阻在稳态后几乎不随时间变化;而X7R/X5R型可能因介质特性或制造工艺差异，长期使用中绝缘电阻可能缓慢下降。

测量时间标准

行业标准通常规定测量时间为1分钟，但需注意：

高容量电容：容量较大时，吸收电流衰减较慢，1分钟测量值可能仍低于真实绝缘电阻。

应用场景：在精密电路(如高阻抗节点、长延时定时器)中，需延长测量时间或选择高绝缘电阻型号(如C0G/NP0)。

二、绝缘电阻与温度的关系

温度升高导致绝缘电阻下降

陶瓷电容的绝缘电阻随温度升高呈指数下降，主要机制包括：

介质电导率增加：温度升高激活介质中的载流子(电子和空穴)，导致电导率上升，绝缘电阻降低。

漏电流增大：根据欧姆定律，绝缘电阻下降直接导致漏电流增加。

典型数据：

C0G/NP0型：温度每升高10°C，绝缘电阻下降约10%(因介质稳定性高，变化较小)。

X7R/X5R型：温度每升高10°C，绝缘电阻可能下降数倍(如从25°C到125°C，绝缘电阻降至室温的1/10至1/100)。

温度对不同介质类型的影响

C0G/NP0（Class 1）：

介电常数低，但温度稳定性极佳，绝缘电阻随温度变化最小。

适用于高频、高精度电路(如振荡器、滤波器)。

X7R/X5R（Class 2）：

介电常数高，容量大，但绝缘电阻对温度敏感。

需关注高温下的漏电流增加，避免在超过额定温度(如125°C)时长期使用。

Y5V（Class 3）：

介电常数更高，但温度稳定性差，绝缘电阻随温度变化剧烈。

通常用于对性能要求较低的场合(如普通耦合、去耦)。

高温下的潜在风险

热失控：漏电流增大导致电容发热，进一步降低绝缘电阻，形成正反馈循环，可能引发电容失效。

寿命缩短：高温加速介质老化，降低电容的长期可靠性。